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[学位论文] 作者：黄书璘,
来源：重庆邮电大学 年份：2013
光电导型辐射源是目前能够产生高功率太赫兹(THz)电磁波的主要辐射源类型之一。锑化铟(InSb)材料具有很高的载流子浓度和载流子迁移率，是新型的光电导太赫兹辐射源材料。本文...
[期刊论文] 作者：潘武,李国新,李亭亭,黄书璘,,
来源：压电与声光 年份：2013
基于复合左右手传输线（CRLH TL）原理,利用微带与共面波导组合的双层介质结构,设计了一种新型带通滤波器.其等效左手电容由金属-绝缘体-金属（MIM）耦合结构提供,等效左手电感由蘑菇......
[期刊论文] 作者：潘武,李亭亭,李国新,黄书璘,,
来源：电子元件与材料 年份：2012
将两种不同结构的异向介质同时嵌在聚酰亚胺衬底中，在太赫兹波段实现了两个不同的谐振频率响应。分析了不同衬底厚度对谐振特性的影响。结果表明，当衬底厚度为30μm时，两个结构......
[期刊论文] 作者：潘武,黄书璘,李亭亭,李国新,
来源：激光技术 年份：2013
为了研究锑化铟（InSb）半导体材料的光电导太赫兹辐射过程，推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下，分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及......
[期刊论文] 作者：潘武,张红林,徐政珂,黄书璘,,
来源：激光技术 年份：2015
为了研究锑化铟（InSb）半导体材料光电导太赫兹辐射过程,用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流,以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响,用宏观电磁场理论......
[期刊论文] 作者：潘武,黄书璘,李国新,李亭亭,田海燕,,
来源：激光与红外 年份：2013
分析基于光电导理论的太赫兹（THz）辐射原理,对基于锑化铟（InSb）半导体材料的光电导辐射过程进行理论推导,并获得太赫兹近远场辐射等参数。利用有限时域差分（FDTD）方法分析空域太赫......
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