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[期刊论文] 作者：陈坤基,黄信凡,
来源：物理学进展 年份：1993
在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀...
[期刊论文] 作者：陈红明,黄信凡,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1998
采用溶胶－凝胶法制备Ⅱ－Ⅵ族化合物ＣｄＳ颗粒胶体溶液，研究其晶体结构量子尺寸效应，结果表明ＣｄＳ颗粒的晶体结构为纤锌矿结构，颗粒尺寸可以通过改变反应物的浓度加以控制，当颗粒尺寸为５ｎｍ左右时......
[期刊论文] 作者：陈坚,黄信凡,
来源：半导体学报 年份：1989
本文对CW Ar+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子...
[期刊论文] 作者：张向东,黄信凡,
来源：半导体学报 年份：1992
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜（LP-LCR）的平均晶粒尺寸...
[期刊论文] 作者：李志锋,黄信凡,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1994
报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型分光束器，并用等离子体增强化学汽相淀积法制备的非晶氮化硅薄膜制作了这样的元件，成功地......
[期刊论文] 作者：顾晓峰,黄信凡,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1995
报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅ｐｉｎ光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究，制得了符合光敏层要求的ｐｉｎ二极管。...
[期刊论文] 作者：黄信凡,鲍希茂,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1990
本文以CWCO_2激光为热源对不同剂量硼离子注入硅进行快速热退火。某些条件下在退火样品中会引进各种缺陷。本文讨论了注入剂量,激光功率及衬底温度对硅表面形貌的影响。...
[期刊论文] 作者：黄信凡,华雪梅,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1992
本文提出一种测定氢化非晶硅(a-Si:H)结晶膜平均晶粒尺寸的新方法。首先测量结晶膜的电流—电压特性的实验曲线,然后与按照理论模型由计算机模拟作图所得一组曲线进行比较,我...
[期刊论文] 作者：黄信凡,华雪梅,
来源：化学物理学报 年份：1991
本文利用连续波Ar~+激光和卤钨灯光对等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)淀积的未掺杂和掺磷的α-Si:H膜进行结晶。对于Ar~+激光辐照结晶情况由转靶X射线衍射分析和透射电子...
[期刊论文] 作者：黄信凡,鲍希茂,
来源：应用科学学报 年份：1989
近年来在绝缘衬底上激光再结晶的多晶硅膜内制作SOI器件受到广泛重视.人们对SOI结构的制备及性质,尤其是对多晶硅层和绝缘衬底间的界面面性质进行了广泛的研究.作者曾提出激...
[期刊论文] 作者：高翔,黄信凡,陈坤基,
来源：中国激光 年份：1997
利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密......
[会议论文] 作者：张向东,黄信凡,陈坤基,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：2004
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[期刊论文] 作者：张向东,黄信凡,陈坤基,
来源：半导体学报 年份：1992
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微...
[期刊论文] 作者：黄信凡,陈坤基,徐骏,
来源：中国激光 年份：1994
我们利用Ar 激光辐照a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料,使a-Si:H阱层晶化。在该样品中成功地观察到室温可见光致发光现象,研究了阱层厚度和激光辐照功率对光致发光峰峰位及半高宽的影响。......
[会议论文] 作者：黄信凡,华雪梅,陈坤基,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：陈坚,黄信凡,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1989
本文对CW Ar~+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入...
[期刊论文] 作者：秦华,陈坤基,黄信凡,李伟,
来源：半导体学报 年份：1997
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si......
[期刊论文] 作者：鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡,,
来源：半导体学报 年份：1982
本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OSF的成核位置.讨论了表面弓形OSF的宽长比.发...
[期刊论文] 作者：陈坤基,黄信凡,徐骏,冯端,
来源：自然科学进展 年份：1994
本文报道一种能在室温下具有可见光致发光特性的硅(si)量子晶粒的制备方法和光物理特性.利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和激光晶化技术相结合,使非晶态Si:H/SiN_x:H多...
[会议论文] 作者：方忠慧,江小帆,黄信凡,
来源：2012年第十六届华东六省一市物理学会联合年会 年份：2012
利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL)特性，观测到量子限制效应引起的...
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