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[期刊论文] 作者：黄启圣,,
来源：中国卫生产业 年份：2015
目的对社区小儿手足口病的相关防治措施进行全面分析。方法采用回顾性的方式对该社区2013年4月—2015年4月期间接触到的86例手足口病患儿的临床资料,对患儿病情以及开展防治...
[期刊论文] 作者：黄启圣,
来源：半导体学报 年份：1989
GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果....
[期刊论文] 作者：黄启圣,,
来源：世界临床医学 年份：2015
目的:探析社区秋季腹泻患儿采用双歧三联活菌联合十六角蒙脱石给予临床治疗的效果.方法:选择社区医疗服务中心2013年2月至2015年2月收治的124例秋季腹泻患儿作为研究对象,分...
[会议论文] 作者：黄启圣,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：黄启圣,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1981
对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级...
[会议论文] 作者：黄启圣,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：黄启圣,
来源：物理学报 年份：1965
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[学位论文] 作者：黄启圣,
来源：东南大学 年份：2021
自2006年起,高效深层网络训练方法的出现使得深度学习在本世纪迎来了其发展的第三次高潮。2012年,深度学习在语音识别和图像分类上的成功使得深度学习相关研究再度崛起的同时逐步延伸至更多领域。2016年以来,以深度学习与通信技术相融合的智能通信技术开始呈现......
[期刊论文] 作者：张文清,黄启圣,
来源：半导体学报 年份：1991
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A...
[期刊论文] 作者：康俊勇, 黄启圣,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2001
介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中...
[期刊论文] 作者：黄启圣, 汤定元,,
来源：物理学报 年份：2004
用定态光电导及光磁电的方法测量了p型n型InSb在85—290°K之间的电子及空穴的寿命。在室温附近,所有样品的截流子寿命都趋于同一值,在290°K时为3×10-8秒。从寿命的绝对值...
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：人工晶体学报 年份：1996
本工作成功地建立一套垂直温度梯度凝固晶体生长设备，并在无氢气的气氛下生长了掺碲ＩｎＳｂ体单晶。通过霍尔效应、原子吸收谱和腐蚀等方法对掺碲ＩｎＳｂ晶体中的缺陷在宏观、微尺度上的分布......
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：人工晶体学报 年份：1994
在４０００Ｇｓ的磁场和无磁场下用液体封止直拉法（ＬＥＣ）生长各种不同高掺锗浓度的ＧａＡｓ体单晶。用ＡＢ液和ＫＯＨ液腐蚀所生长的晶体，分别观察磁场中生长晶体的腐蚀条纹和腐蚀坑变化。通过电子探针微区分析和霍......
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1996
用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷。结果表明，探测器中存在于禁带中央附近的两个施主深级。它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙......
[期刊论文] 作者：吴正云,黄启圣,
来源：量子电子学报 年份：2000
近年来，随着半导体薄膜外延技术的发展，低维半导体材料结构，特别是半导体量子线、量子点的制备己成为可能．与体结构材料相比，低维结构材料具有许多优越的性质和它所具有的深刻的物......
[会议论文] 作者：吴正云,黄启圣,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：俞书彬,黄启圣,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1983
用DLTS与缺陷退火的方法研究了室温下1MeV电子辐照后n-GaP中的深能级,发现辐照后n-GaP中出现六个电子能级E_1-E_6和三个空穴能级H_1-H_2。等时和等温退火实验表明,除E_6、H_2...
[期刊论文] 作者：康俊勇,黄启圣,
来源：科学通报 年份：1988
一、引言 对Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶中普遍存在的施主中心(DX中心)的研究,近几年来很活跃。实验观察到AlGaAs中施主中心的主要性质:1.随Si、Sn和Te等施主杂质掺入,出现浅和深施主...
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