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[会议论文] 作者：黄呈橙;许福军;许正昱;王嘉铭;张霞;王新强;沈波;,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的...
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