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[学位论文] 作者：齐嘉城,
来源：河北工业大学 年份：2020
化学机械平坦化（CMP）是集成电路（IC）制造的关键工艺之一,是实现多层铜布线局部和全局平坦化的核心技术。阻挡层平坦化是铜互连CMP制程中的最后一步,决定着IC器件的良率和可靠性。钽（Ta）具有较高的电导率和抗电迁移性,并与Cu有很好的粘附性,被广泛用作铜互连的阻挡层材......
[期刊论文] 作者：黄超, 潘国峰, 王辰伟, 齐嘉城, 崔军蕊,,
来源：半导体技术 年份：2004
研究了在甘氨酸和H2O2体系下加入新型抑制剂2,2′-[[（甲基-1H-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇（TT-LYK）对Cu/Co电偶腐蚀的影响。由化学机械抛光（CMP）实验结果可知,随着抑制剂体积......
[期刊论文] 作者：崔军蕊,潘国峰,杨学莉,朱梦雅,黄超,齐嘉城,
来源：电子元件与材料 年份：2020
通过水热法合成了CeO2-ZnO纳米材料,利用XRD、SEM、EDS和BET对材料的结构、形貌、元素分布及比表面积进行了表征测试,研究了掺杂量、工作温度及可见光激发对CeO2-ZnO纳米材料...
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