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[学位论文] 作者：齐瑞生,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2011
绝缘栅双极晶体管IGBT (Insulator Gate Bipolar Transistor)是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具有功率MOS器件和BJT器件的双重特点,在通态...
[期刊论文] 作者：许生根,张海鹏,齐瑞生,陈波,,
来源：科技通报 年份：2011
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该...
[期刊论文] 作者：张海鹏, 程雨, 齐瑞生, 王彬,,
来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版) 年份：2018
为了满足电子与电气系统中较高反压快恢复二极管的应用需求,提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合二极管(TPJBS)新结构。对该TPJBS的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真试...
[期刊论文] 作者：陈波,张海鹏,许生根,齐瑞生,,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2010
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路...
[期刊论文] 作者：张海鹏,齐瑞生,王德君,王勇,,
来源：电力电子技术 年份：2011
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silv...
[期刊论文] 作者：冯世全,许建楼,魏世鹏,齐瑞生,
来源：河南科技大学学报：自然科学版 年份：2008
用最近提出的（G’／G）展开法，简单直接地求出了非线性对流一扩散方程和神经脉冲传播方程的含有两个任意参数的行波解。当参数取特殊值时，可得文献中的相应的特别结果。...
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