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[期刊论文] 作者：古新安,朱韦臻,罗志伟,ANDREEV Y M,LANSKI,
来源：中国光学 年份：2011
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进...
[期刊论文] 作者：古新安,朱韦臻,罗志伟,ANDREEV Y M,LANSKI,
来源：中国光学 年份：2004
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进...
[期刊论文] 作者：黄金哲,王宏,常彦琴,沈涛,Andreev Y M,Shaiduko A V,,
来源：物理学报 年份：2010
首先建立了无限大晶体截面近似下的时-空4维光场和温度场耦合的倍频模型.并在瓦级功率激光抽运下,利用解析公式和迭代方法数值模拟了BBO晶体内的倍频过程.得到了基频光和倍频...
[期刊论文] 作者：古新安,朱韦臻,罗志伟,ANDREEV Y M,LANSKII G V,SHAIDUKO A V,IZAAK T I,SVETLICHNYI V A,VAYTULEVICH E A,ZUEV V V,,
来源：中国光学 年份：2011
采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学...
[期刊论文] 作者：古新安,朱韦臻,罗志伟,ANDREEV Y M,LANSKII G V,SHAIDUKO A V,IZAAK T I,SVETLICHNYI V A,VAYTULEVICH E A,ZUEV V V,,
来源：中国光学 年份：2011
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进...
[期刊论文] 作者：古新安,朱韦臻,罗志伟,ANGELUTS A A,EVDOKIMOV M G,NAZAROV M M,SHKURINOV A P,ANDREEV Y M,LANSKII G V,SHAIDUKO A V,
来源：中国光学 年份：2012
从GaSe：AgGaSe2熔体（质量掺杂浓度为10%）中生长的非线性光学晶体ε-GaSe：Ag晶体（质量掺杂浓度≤0.04%）是一种非中心对称晶体,可用于相位匹配频率转换。Ag的掺入使GaSe晶体的显微硬...
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