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,Enhancement-Mode InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor with rnStrained InAlAs Barrier
[期刊论文] 作者：AO Jin-Ping,LIU Shi-Yong,ZENG Qing-Ming,ZHAO Yong-Lin,LI Xian-Jie,LIU Wei-Ji,LIANG Chun-Guang, 来源：中国物理快报(英文版) 年份：2000
The relatively low Schottky barrier height on In0.52Al0.48As lattice-matched to InP has hampered the achievement of enhancement-mode InA1As/InGaAs/InP high elec...
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