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降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩
[期刊论文] 作者：Frank Huang,Anand Chandrashekar,Michal Danek,, 来源：集成电路应用 年份：2009
随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的...
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