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[期刊论文] 作者：Zhi-Yuan Hu,Zheng-Xuan Zhang,Bing-Xu Ning,Da-Wei Bi,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
Total ionizing dose induced single transistor latchup effects for 130 nm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) NMOSFETs with the bodies floating were...
[期刊论文] 作者：Xiao-Nian Liu,Li-Hua Dai,Bing-Xu Ning,Shi-Chang Zou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2017
The body current lowering effect of 130nm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) input/output (I/O) n-type metal-oxide-semiconductor field-effect trans...
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