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,Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors
[期刊论文] 作者：Lili Ding,Simone Gerardin,Marta Bagatin,Dario Bisello,Serena Mattiazzo,Alessandro Paccagnella, 来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
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Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors
[期刊论文] 作者：丁李利,Simone Gerardin,Marta Bagatin,Dario Bisello,Serena Mattiazzo,Alessandro Paccagnella,, 来源：Chinese Physics B 年份：2016
The total ionizing dose(TID) response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad(SiO_2) total dose.The degradation le...
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