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[期刊论文] 作者：Dennis R.Nichols,陈盘敖,,
来源：光电子学技术 年份：1983
任何一台真空镀膜设备,除了实际产品被镀膜复盖外,其内表面也将逐步蒸涂上一层物质。这种物质的积累最终达到的程度,会阻碍真空镀膜设备另部件的正常工作;或者显著降低...
[期刊论文] 作者：Dennis R.Nichols,蔡菊荣,
来源：微电子学 年份：1983
在n沟硅栅MOS工艺技术中,耐熔金属硅化物薄膜可望替代多晶硅金属化,截面积减小后的多晶硅金属化的电阻率使器件性能受到限制。已证明,金属和硅的同时共溅射对控制膜的成分以...
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