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[期刊论文] 作者：FENG Zhi-Hong,WANG Xian-Bin,WANG Li,LV Yuan-Jie,FANG Yu-Long,DUN Shao-Bo,ZHAO Zheng-Ping,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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,High-Frequency AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Regrown Ohmic Contacts by Metal-Or
[期刊论文] 作者：GUO Hong-Yu,LV Yuan-Jie,GU Guo-Dong,DUN Shao-Bo,FANG Yu-Long,ZHANG Zhi-Rong,TAN Xin,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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,Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diod
[期刊论文] 作者：Lü Yuan-Jie,Feng Zhi-Hong,Lin Zhao-Jun,Gu Guo-Dong,Dun Shao-Bo,Yin Jia-Yun,Han Ting-Ting,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer bet
[期刊论文] 作者：Lü Yuan-Jie,Feng Zhi-Hong,Gu Guo-Dong,Dun Shao-Bo,Yin Jia-Yun,Wang Yuan-Gang,Xu Peng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Liu Bo,Zhang Sen,Yin Jia-Yun,Zhang Xiong-Wen,Dun Shao-Bo,Feng Zhi-Hong,Cai Shu-Jun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,Effect of surface morphology on the electron mobility of epitaxial graphene grown on 0° and 8° Si-t
[期刊论文] 作者：Li Jia,Wang Li,Feng Zhi-Hong,Yu Cui,Liu Qing-Bin,Dun Shao-Bo,Cai Shu-Jun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect tran
[期刊论文] 作者：Lü Yuan-Jie,Feng Zhi-Hong,Cai Shu-Jun,Dun Shao-Bo,Liu Bo,Yin Jia-Yun,Zhang Xiong-Wen,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,Directly extracting both threshold voltage and series resistance from the conductance-voltage curve
[期刊论文] 作者：Lü Yuan-Jie,Feng Zhi-Hong,Gu Guo-Dong,Dun Shao-Bo,Yin Jia-Yun,Han Ting-Ting,Sheng Bai-Cheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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