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[期刊论文] 作者：J.Würfl,O.Hilt,E.Bahat-Treidel,R.Zhytnytska,K.Klein,P.Kotara,F.Brunner,A.Knauer,O.Krüger,M.Weyers,G.Tr,
来源：功能材料与器件学报 年份：2013
本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态...
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