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[会议论文] 作者：F.R.Ding(丁富荣),A.Vantomme,Q.Zhao,B.Pipeleers,K.Jacobs,I.Moerman,K.Iakoubovskii,G.J.Adriaenssens,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10/cm到4×10/cm范围.注入后的样品在流动N气中经1100℃和30秒的快速退火处理.光致发光(PL)测量结果表明,...
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