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[期刊论文] 作者：Xia GUO,Xinxin LUAN,Wenjuan WANG,Chunwei GUO,Guangdi SHEN,
来源：光电子学前沿 年份：2013
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[会议论文] 作者：Lu Zhang,张露,王晓亮,Xiaoliang Wang,Hongling Xiao,肖红领,Hong Chen,陈竑,Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Guangdi Shen,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GaN薄膜。分别研究了GaN外延层生长的反应室压力和Ga源流量对电阻率和晶体质量的影响。螺位错会在GaN中引入导电路径,降低电阻率。刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背景载流子,提高电阻率。研究发现,降低反应室压......
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