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[期刊论文] 作者：Guo-Bin Wang Xiao-Ping Zhang B,
来源：中国电子科技：英文版 年份：2007
A cryogenic low noise amplifier (LNA) using Agilent high electron mobility transistor (HEMT) for 380 MHz to 480 MHz is designed and fabricated, and the excellen...
[期刊论文] 作者：Guo-Bin Wang,Xiao-Ping Zhang,B,
来源：中国电子科技 年份：2004
A cryogenic low noise amplifier (LNA) using Agilent high electron mobility transistor (HEMT) for 380 MHz to 480 MHz is designed and fabricated, and the excellen...
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