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测定离子注入单晶损伤与应变的双晶（n^ ,—n^ ）排列方法
[期刊论文] 作者：李润身,H.K.Wagenfeld,J.S.Williams, 来源：半导体学报 年份：1990
依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论...
测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,-n~v)排列方法
[期刊论文] 作者：李润身,H.K.Wagenfeld,J.S.Williams,Stephen Milkins,Andrew Stevenson, 来源：半导体学报 年份：1990
依据双晶摇摆曲线的形成原理,提出了一种高分辨率,高灵敏度的测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,—n~v)排列方法。考虑到掠入射情形的色散效应,对掠射角的选择进行了讨论...
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