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[期刊论文] 作者：Hemal Shah,,
来源：电子设计技术 年份：2012
传统上,FET体二极管反向恢复行为采用双脉冲试验方法来评估。由于这种试验方法旨在得出Trr、Qrr和IRRM参数,因此,所施加的di/dt相对比较缓慢(100A/μs)。在一定程度上,缓慢的...
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