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[期刊论文] 作者：KIM Yoon-kyu,JANG Ji-hye,YOON,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2012
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[期刊论文] 作者：JANG Ji-Hye,JIN Li-yan,JEON Hw,
来源：中南大学学报（英文版） 年份：2004
For the conventional single-ended eFuse cell,sensing failures can occur due to a variation of a post-program eFuse resistance during the data retention time an...
[期刊论文] 作者：JANG Ji-Hye,金丽妍,JEON Hwang-Gon,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2012
为常规结束单人赛的 eFuse 房间，察觉到失败能在数据保留时间和几公斤欧姆的一个相对高的节目电阻期间由于一个节目以后的 eFuse 电阻的一个变化发生。一个微分配对的 eFuse...
[期刊论文] 作者：金丽妍,JANG Ji-Hye,KIM Du-Hwi,KIM,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2011
一倍可编程的 1 kbit antifuse (OTP ) 记忆 IP，是非不稳定的记忆 IP 之一，被设计并且为力量管理集成电路(IC ) 使用了。当比薄门氧化物并且同时的故障电压使用更高的电压时，用...
[期刊论文] 作者：金丽妍, JANG Ji-Hye, 余忆宁,
来源：null 年份：2011
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[期刊论文] 作者：金丽妍,JANG,Ji-Hye,余忆宁,HA,Pan-Bon,
来源：中南大学学报：英文版 年份：2011
A poly 挑选电可擦可编程只读存储器房间电路分享深， N 好，一个房间，数组用逻辑过程被设计。建议房间被 FN 通道计划写，房间尺寸是 41.26 m2，大约 37% 比常规房间小。另外，小区域、......
[期刊论文] 作者：JIN Li-yan,JANG Ji-Hye,KIM Du-Hwi,HA Pan-Bong,KIM Young-Hee,
来源：中南大学学报(英文版) 年份：2011
A 1 kbit antifuse one time programmable (OTP) memory IP, which is one of the non-volatile memory IPs, was designed and used for power management integrated circ...
[期刊论文] 作者：JIN Li-yan,JANG Ji-Hye,YU Yi-ning,HA Pan-Bong,KIM Young-Hee,
来源：中南大学学报（英文版） 年份：2011
A single poly EEPROM cell circuit sharing the deep N-well of a cell array was designed using the logic process.The proposed cell is written by the FN tunneling...
[期刊论文] 作者：金丽妍,JANG Ji-Hye,余忆宁,HA Pan-Bong,KIM Young-Hee,,
来源：Journal of Central South University of Technology 年份：2011
A single poly EEPROM cell circuit sharing the deep N-well of a cell array was designed using the logic process. The proposed cell is written by the FN tunneling...
[期刊论文] 作者：JANG Ji-Hye,金丽妍,JEON Hwang-Gon,KIM Kwang-Il,HA Pan-Bong,KIM Young-Hee,,
来源：Journal of Central South University 年份：2012
For the conventional single-ended eFuse cell,sensing failures can occur due to a variation of a post-program eFuse resistance during the data retention time and...
[期刊论文] 作者：LEE Jae-hyung,JIN Li-yan,YU Yi-ning,JANG Ji-hye,KIM Kwang-il,HA Pan-bong,KIM Young-hee,
来源：中南大学学报（英文版） 年份：2012
The direct current-direct current (DC-DC) converter is designed for 1 T static random access memory (SRAM) used in display driver integrated circuits (ICs),whic...
[期刊论文] 作者：KIM Yoon-kyu,JANG Ji-hye,YOON Geon-soo,LEE Dong-hoon,HA Man-yeong,HA Pan-bong,KIM Young-hee,
来源：中南大学学报（英文版） 年份：2012
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