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[期刊论文] 作者：John Fattaruso,,
来源：电子设计技术 年份：2012
当使用分立的JFET时,设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程,作为JFET漏极电流特性的一个近似模型:ID=β(VGS-VP)2,其中,I...
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