搜索筛选:
搜索耗时0.0763秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈弘毅,K.L.Wang,
来源：电子科学学刊：英文版 年份：1990
Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/AlxGa1-xAsdouble barrier single well structures has been performed by usi...
[期刊论文] 作者：陈弘毅,K.L.Wang,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1990
Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spec...
[期刊论文] 作者：K.L.Wang,祝明廉,,
来源：半导体情报 年份：1980
本文描述对以宽度为80毫微秒(FWHM,在半最大值的全带宽)、1.06微米激光脉冲退火的离子注入硅的电测量和再生长性能的结果进行比较的研究,在为熔化所需的阈限能量密度、掺杂剂...
[期刊论文] 作者：陈贵灿,K.L.Wang,刘之行,邵志标,
来源：西安交通大学学报 年份：1990
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET’s 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采...
相关搜索：
