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[期刊论文] 作者:KOPANI M,KOBAYASHI H,TAKAHASHI, 来源:冶金分析 年份:2004
二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路(VLSI)的栅氧化层以及液晶显...
[期刊论文] 作者:Pincik E,Kobayashi H,Madani M,, 来源:冶金分析 年份:2004
研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质.用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶...
[期刊论文] 作者:Brunner R,Pincik E,Kobayashi H, 来源:冶金分析 年份:2004
本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱.认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的.由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有...
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