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[期刊论文] 作者：L.Lorenz,黄慧,,
来源：变流技术与电力牵引 年份：2006
具有薄n基区和低掺杂场截止层新结构的非穿通绝缘栅双极型晶体管NPTIGBT明显降低了总损耗。特别是场截止概念与挖槽晶体管单元的结合能产生通态电压最小、开关损耗最低、载流...
[期刊论文] 作者：O.Hellmund,L.Lorenz,H.Ruething,,
来源：电力电子 年份：2005
第一篇讲述了用于软件开关技术的1200V反向导通IGBT,第二篇为美籍科学家、著名电力电子专家、田纳西大学教授B.K.Bose博士/教授应邀来华讲学,于2005年8月所做学术报告的第一...
[期刊论文] 作者：L.Lorenz,杨首一,
来源：电力牵引快报 年份：1995
电力电子技术的发展是与器件特性密节相关的,又有许多GTO的领域被IGBT取代了。本文阐述各种半导体结构的特点及对驱动和保护电路设计的影响。...
[期刊论文] 作者：L．Lorenz,黄慧（译） 姚永康（校）,
来源：变流技术与电力牵引 年份：2006
具有薄n基区和低掺杂场截止层新结构的非穿通绝缘栅双极型晶体管NPTIGBT明显降低了总损耗，特别是场截止概念与挖槽晶体管单元的结合能产生通态电压最小、开关损耗最低、载流子...
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