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[期刊论文] 作者：段书凯,胡小方,王丽丹,李传东,MAZUMDER Pinaki,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2012
忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(...
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