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[期刊论文] 作者：O. Wismans,K. Gr,
来源：集成电路应用 年份：2008
闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很重要的影响,并且曝光前掩膜的空间成像可以用...
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