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[期刊论文] 作者：P. K. Tien,唐绍开,
来源：半导体光电 年份：1981
为了发展光电子器件中不可缺少的InP工艺, 我们报导了一种用CdP_2和P作源向InP中扩散Cd的方法。此方法获得P=10~(18)—10~(19)cm~(-3)的受主浓度,扩散深度由源中使用的P量决...
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