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[期刊论文] 作者：Baessler P.Kanschat F.Umbac,
来源：变频器世界 年份：2008
本文首次介绍了英飞凌的新一代IGBT——新型1200V IGBT4。IGBT4是一个产品系列，具有经过优化的垂直结构，分别对应于低电压、中等电压和高电压的应用，并且对不同功率级别的典型开...
[期刊论文] 作者：M.Baβler,A.Ciliox,P.Kanschat,,
来源：变频器世界 年份：2010
本文的目的是说明杂散电感对相应芯片的开关性能的影响，旨在提供产品设计指南，并研究具体芯片型号的优缺点。...
[期刊论文] 作者：M.Baessler,P.Kanschat,F.Umbach,C.Schaeffer,,
来源：变频器世界 年份：2008
本文首次介绍了英飞凌的新一代IGBT——新型1200V IGBT4。IGBT4是一个产品系列,具有经过优化的垂直结构,分别对应于低电压、中等电压和高电压的应用,并且对不同功率级别的典...
[期刊论文] 作者：P.Kanschat,H.R~(¨1)thing,F.Umbach,F.Hille,,
来源：电力电子 年份：2005
本文详细讨论了Eupec和Infineon最新一代600VIGBT3技术。介绍器件的制造技术后,将详细分析第三代器件的静态和动态特性。特别讨论的是新推出的最大结温为175℃器件的必要条件...
[会议论文] 作者：P.Kanschat,H.Ruthing,F.Umbach,F.Hille,陈子颖,
来源：中国电源学会全国电源技术第十六届年会 年份：2005
本文阐述了Eupec公司和英飞凌公司推出的最新600VIGBT3技术。文章详细分析了第三代器件的静态特性和动态特性，讨论了电磁兼容性(EMC)相关的开关波形的改善情况,并从IGBT损耗和...
[期刊论文] 作者：A.Hartl,M.Bassler,M.Knecht,P.Kanschat,冯幼明,王传敏,,
来源：电力电子 年份：2010
本文介绍了Infineon公司专为Irom>300A中大电流应用设计的最新的650V IGBT4。与600V IGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施...
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