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在格芯22FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
[期刊论文] 作者：祝晓波, Peter Hang, 张弛, 来源：中国集成电路 年份：2017
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在格芯22FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
[期刊论文] 作者：祝晓波,Peter Hang,张弛,Don Blackwel, 来源：中国集成电路 年份：2017
格芯GLOBALFOUNDRIES22FDX~（22nmFDSOI）工艺是一个差异化的工艺，它能有FinFET工艺那样的性能，也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调（back—ga...
在格芯22 FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
[期刊论文] 作者：祝晓波,Peter Hang,张弛,Don Blackwell,Vijay Kanagala,, 来源：中国集成电路 年份：2017
格芯GLOBALFOUNDRIES 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可...
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