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[期刊论文] 作者：R.P.H.Chang,赵彦军,,
来源：半导体情报 年份：1983
用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等综合分析技术,研究了刻蚀速率、表...
[期刊论文] 作者：赵永生,孙中哲,李雪梅,宋俊峰,王之岭,姜秀英,杜国同,ShengliWu,GregoryDevane,KathleenA.Stair,R.P.H.Chang,
来源：光学学报 年份：1998
设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FWHM)为20nm,放大器的增益为21dB。......
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