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Study on Burn-In and Screening Method for 1 310 nm InGaAsP Laser Diodes
[期刊论文] 作者：SU Mei-kai,GAO Zhi-yun,LIU Bing-qi,ZUO Fang, 来源：北京理工大学学报（英文版） 年份：2005
The accelerating b-in and screening method of processing 1 310 nm InGaAsP of laser diodes (LDs)is introduced. It is confirmed that the theory of b-in and screen...
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