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[期刊论文] 作者：Baoshun Wang,Jiangwei Cui,Qi Guo,Qiwen Zheng,Ying Wei,Shanxue Xi,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2020
We investigate the hot carrier injection effect (HCI) and how X-ray radiation impacts the HCI of 22-nm nFinFETs as a function of device geometry and irradiation...
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