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[会议论文] 作者：Shi-Gu Cao,Hong-Hui Wu,Tong-Yi Zhang,
来源：第十五届全国电介质、材料与应用学术会议 年份：2014
Ferroelectric(FE)materials with a high remnant polarization(Pr),a low coercive field(Ec)and a low leakage current are ideal for the fabrication of FE memory dev...
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