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[期刊论文] 作者：Shinji Matsui, Katsumi Mori, 李,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
本文实例说明了采用XeF2源的电子束诱发表面反应可在硅上直接描绘图形。Si（100）的电子束激发腐蚀深度与电子剂量成正比;在10kV加速电压、4×10-3C/cm2剂量和5mTorr气压条件下,...
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