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[期刊论文] 作者：Si-Qin-Gao-Wa Bao,Xiao-Hua Ma,Wei-Wei Chen,Ling Yang,Bin Hou,Qing Zhu,Jie-Jie Zhu,Yue Hao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
In this paper, the interface states of the AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor (MIS) high electron mobility transistors (HEMTs) with an Al2O3 gate dielect...
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