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基于氮化镓场效应晶体管的高性能48V总线电源
[期刊论文] 作者：王健婧,Suvankar BISWAS,Mohamed H., 来源：电源学报 年份：2019
48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gall...
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