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[期刊论文] 作者：T·Onuna,A.Tamura,陈锡君,,
来源：半导体情报 年份：1984
制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状态的Pt埋栅结构。获得的1μm栅长增强型GaAs...
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