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[期刊论文] 作者:XIA Wen-bin,LI Xin,GAO Hui,HUA, 来源:中南大学学报(英文版) 年份:2004
[期刊论文] 作者:Zhang Shao-Yin,Tang Shao-Long,Gao Jin-Long,Luo Xiao-Jing,Xia Wen-Bin,Du You-Wei, 来源:中国物理B(英文版) 年份:2013
[期刊论文] 作者:Xia Wen-Bin,Gao Jin-Long,Zhang Shao-Yin,Chen Le-Yi,Tang Yan-Mei,Tang Shao-Long,Du You-Wei, 来源:中国物理B(英文版) 年份:2014
[期刊论文] 作者:XU Wei-hua,LIU Yun-guo,ZENG Guang-ming,ZHOU Ming,FAN Ting,WANG Xin,XIA Wen-bin, 来源:中南大学学报(英文版) 年份:2009
[期刊论文] 作者:XIA Wen-bin,LI Xin,GAO Hui,HUANG Bao-rong,ZHANG Hui-zhi,LIU Yun-guo,ZENG Guang-ming,FAN Ting, 来源:中南大学学报(英文版) 年份:2009
[期刊论文] 作者:Shu-Xiang Sun,Zhi-Chao Wei,Peng-Hui Xia,Wen-Bin Wang,Zhi-Yong Duan,Yu-Xiao Li,Ying-Hui Zhong,Peng Ding, 来源:中国物理B(英文版) 年份:2018
InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) will be affected by protons from different directions in space radiation applications.The proton irradiatio...
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