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,High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with f,t=170GH
[期刊论文] 作者：JIN Zhi,SU Yong-Bo,CHENG Wei,LIU Xin-Yu,XU An-Hai,QI Ming, 来源：中国物理快报（英文版） 年份：2008
The layer structure of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT) is designed to enhance the frequency performance and breakdown voltage. The co...
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