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[期刊论文] 作者：Xu Gao-Bo,Xu Qiu-Xia,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
This paper presents a method using simple physical vapour deposition to form high-quality hafnium silicon oxyni-tride (HfSiON) on ultrathin SiO2 buffer layer. T...
[期刊论文] 作者：Hu Ai-Bin,Xu Qiu-Xia,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Shi Sha-Li,Chen Da-Peng,Jing Yu-Peng,Ou Yi,Ye Tian-Chun,Xu Qiu-Xia,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Shi Sha-Li,Chen Da-Peng,Ou Yi,Jing Yu-Peng,Xu Qiu-Xia,Ye Tian-Chun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Xu Gao-Bo,Xu Qiu-Xia,Yin Hua-Xiang,Zhou Hua-Jie,Yang Tao,Niu Jie-Bin,Yu Jia-Han,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：XU Gao-Bo,XU Qiu-Xia,YIN Hua-Xiang,ZHOU Hua-Jie,YANG Tao,NIU Jie-Bin,HE Xiao-Bin,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
We fabricate p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors (PMOSFETs) with a HfSiAlON/MoAlN gate stack using a novel and practical gate-last proc...
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