搜索筛选:
搜索耗时0.0865秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：PAN Xingfang,Liu Wenhong,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2002
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：Shaoyan ZHOU,Yu HUANG,Cui YAO,Runhang LU,Xingfang LIU,,
来源：Asian Agricultural Research 年份：2013
Taking the traditional fruit pear as the example, this paper analyzes labor cost for pome production in Hebei Province, based on the representative cases and th...
[会议论文] 作者：Xu Xingfang,Liu Yi'an,徐行方,刘诣安,
来源：第七届全国交通运输领域青年学术会议 年份：2007
分析了上海港集装箱海铁联运通道运能现状，计算了相关通道通过能力利用率，根据未来集装箱量预测值，计算了可能开行的集装箱班列数，分析了缓解铁路通道运能紧张的相关措施，这些......
Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with vari
[期刊论文] 作者：Wen Gu,Zhibin Liu,Yanan Guo,Xiaodong Wang,Xiaolong Jia,Xingfang Liu,Yiping Zeng,Junxi Wang,Jinmin Li,,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2020
High-quality AlN/sapphire templates were fabricated by the combination of sputtering and high-temperature (HT) annealing.The influence of sputtering parameters...
[会议论文] 作者：Bin Liu,刘斌,Guosheng Sun,孙国胜,Xingfang Liu,刘兴昉,Zhi He,何志,Yiping Zeng,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干氧氧化数十分钟,碳膜可以完全去除。AFM测试显示,在退火过......
[会议论文] 作者：Feng Zhang,Guosheng Sun,Liu Zheng,Shengbei Liu,Bin Liu,Lin Dong,Wanshun Zhao,Lei Wang,Guoguo Yan,Xingfang Liu,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm...
[会议论文] 作者：Zheng,郑柳,Shengbei Liu,刘胜北,Bin Liu,刘斌,Lin Dong,董林,Wanshun Zhao,赵万顺,Lei Wang,王雷,Guoguo Yan,闫果果,刘兴昉,Xingfang Liu,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al2O3薄膜在氮气中1000℃下退火1min。检测结果显示，退火后Al2O3薄膜粗糙度增加。同......
相关搜索：
