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,Advantages of an InGaN-based light emitting diode with a p-InGaN/p-GaN superlattice hole accumulati
[期刊论文] 作者：Liu Chao,Ren Zhi-Wei,Chen Xin,Zhao Bi-Jun,Wang Xing-Fu,Yin Yi-An,Li Shu-Ti,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Lu Tai-Ping,LiShu-Ti,Zhang Kang,Liu Chao,Xiao Guo-Wei,Zhou Yu-Gang,ZhengShu-Wen,Yin Yi-An,Wu Le-Juan,,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,Simulation study of blue InGaN multiple quantum well light-emitting diodes with different hole inje
[期刊论文] 作者：,Li Shu-Ti,Liu Chao,Wang Hai-Long,Lu Tai-Ping,Zhang Kang,Xiao Guo-Wei,Zhou Yu-Gang,Zheng Shu-Wen,Yin Yi-An,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,The advantage of blue InGaN multiple quantum wells light-emitting diodes with p-AlInN electron bloc
[期刊论文] 作者：Lu Tai-Ping,Li Shu-Ti,Zhang Kang,Liu Chao,Xiao Guo-Wei,Zhou Yu-Gang,Zheng Shu-Wen,Yin Yi-An,Wu Le-Juan,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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