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,Effect of SiN:Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs
[期刊论文] 作者：Sheng Zhang,Ke Wei,Yang Xiao,Xiao-Hua Ma,Yi-Chuan Zhang,Guo-Guo Liu,Tian-Min Lei,Ying-Kui Zheng,Sen Huang, 来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
This paper concentrates on the impact of SiN passivation layer deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)on the Schottky characteristics in G...
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