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[期刊论文] 作者：Hu Yongshi,Wang Xiang,Li Zuoyi,
来源：信息记录材料 年份：2001
通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介rn质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm，rnSm(CoAlSi)5磁...
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