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,Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-do
[期刊论文] 作者：Jianfei Li,Yuanjie Lv,Changfu Li,Ziwu Ji,Zhiyong Pang,Xiangang Xu,Mingsheng Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
The photoluminescence (PL) and electrical properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with different Fe doping concentrations in the GaN...
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,Zhaojun Lin,Chongbiao Luan,赵景涛,林兆军,栾崇彪,Zhihong Feng,Yuanjie Lv,冯志红,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起...
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,赵景涛,Zhaojun Lin,林兆军,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie Lv,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件......
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,Zhaojun Lin,Jingtao Zhao,栾崇彪,林兆军,赵景涛,Zhihong Feng,Yuanjie LV,冯志红,吕元杰,Hong Chen,陈弘,Zhanguo,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷...
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhaojun Lin,林兆军,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie LV,吕元杰,Jingtao Zhao,赵景涛,Hong Chen,陈弘,Zhanguo,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/......
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