搜索筛选:
搜索耗时0.0874秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：LI Jianchun,ZHONG Yinghui,GONG,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2004
Chitosan, the N-deacetylated form of chitin, has good biocompatibility and biodegradability.This paper investigates the feasibility of using chitosan conduits f...
[期刊论文] 作者：ZHONG Yinghui,LI Jianchun,GONG,
来源：清华大学学报（英文版） 年份：2004
The chemical composition and microstructure of a biocompatible material prepared from chitosan were evaluated using FTIR and SEM techniques. Its mechanical and...
[期刊论文] 作者：ZHONG Yinghui,ZANG Huaping,SUN,
来源：城市道桥与防洪 年份：2016
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Zhang Jincan,Zhang Yuming,Lü Hongliang,Zhang Yimen,Liu Min,Zhong Yinghui,Shi Zheng,
来源：城市道桥与防洪 年份：2014
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Zhong Yinghui,Zhang Yuming,Zhang Yimen,Cao Yuxiong,Yao Hongfei,Wang Xiantai,Lü Hongliang,
来源：城市道桥与防洪 年份：2013
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
Impact of the lateral width of the gate recess on the DC and RF characteristics of InAIAs/InGaAs HEM
[期刊论文] 作者：Zhong Yinghui,Wang Xiantai,Su Yongbo,Cao Yuxiong,Jin Zhi,Zhang Yuming,Liu Xinyu,
来源：城市道桥与防洪 年份：2012
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：Zhong Yinghui,Wang Xiantai,Su Yongbo,Cao Yuxiong,Jin Zhi,Zhang Yuming,Liu Xinyu,
来源：城市道桥与防洪 年份：2012
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：ZHONG Yinghui,ZANG Huaping,WANG Haili,SUN Shuxiang,LI Kaikai,DING Peng,JIN Zhi,,
来源：Chinese Journal of Electronics 年份：2016
PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520 A fourlayer resist stack is firstly proposed for T-gates fabrication of InP-based High electron mobility transistors(HEMTs).Gate-head a...
[期刊论文] 作者：ZHONG Yinghui,ZANG Huaping,SUN Shuxiang,WANG Haili,LI Kaikai,LI Xinjian,DING Peng,JIN Zhi,,
来源：Chinese Journal of Electronics 年份：2016
T-Gate fabrication processes for In P-based High electron mobility transistors(HEMTs) are described using PMMA/Al/UVIII. The single-step and two-step Electron b...
相关搜索：
