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3 - 39 Damage to Epitaxial GaN Layer by 238U32＋-irradiation
[期刊论文] 作者：Zhang Liqing Zhang Chonghong G, 来源：中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 年份：2012
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3 - 40 Influence of Highly Charged 209Bi33＋ Irradiation on Stress Accumulation in GaN Epi-layer
[期刊论文] 作者：Zhang Liqing Zhang Chonghong G, 来源：中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 年份：2012
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Microstructures and Optical Properties of Highly Charged 209Bi33＋-irradiated GaN Epi-layers
[期刊论文] 作者：Zhang Liqing Zhang Chonghong G, 来源：中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 年份：2011
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Raman Scattering Spectrum Study of Radiation Damage Created by MeV Inert Gas Ions in GaN Epitaxial
[期刊论文] 作者：Zhang Liqing Zhang Chonghong G, 来源：中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 年份：2011
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