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[会议论文] 作者：Yuwei Zhang,张雨溦,Yang Zhang,张杨,Baoqiang Wang,王宝强,Zhanping Zhu,朱战平,Yiping Zeng,曾一平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关顺序,实验发现,室温下非有意掺杂的HEMT结构二维电子气迁移率可以达到16170 cm2/Vs,实验研究了生长温度对二维电子气迁移率的影响。......
[会议论文] 作者：Yang Zhang,Yuwei Zhang,Yanbo Li,Chengyan Wang,Min Guan,Lijie Cui,Baoqiang Wang,Zhanping Zhu,Yiping Zeng,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道...
[会议论文] 作者：张雨溦,Yuwei Zhang,Yanbo Li,李彦波,Chengyan Wang,王成艳,Min Guan,关敏,Lijie Cui,崔利杰,Baoqiang Wang,王宝强,朱战平,Zhanping Zhu,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050c......
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