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多种IC设计中Cu CMP阻挡层浆料选择和去除率的控制
集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/......
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