HFET相关论文
半导体功率器件是半导体领域不可缺少的一部分,半导体材料经过几十年的飞速发展,已经迭代到了第三代。其中的GaN因为具有大的禁带......
本文给出了一种适合0.1μmHFET器件的小信号等效电路模型参数提取方法.这种方法根据材料性能和物理结构参数近似计算HFET小信号等......
使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜......
会议
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectT......
介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电......
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展，概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构，不同的......
研究了GaN高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺,讨论了几种测试方法的优缺点,并根据器件制作的工艺兼容性,在n-GaN样品上......
报道了蓝宝石衬底上AlGaN／GaN HFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0．8μm，源漏间距为3μm，得到器件的最大漏电流密度为0．7A／mm，......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态，发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层......
用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料，并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比，由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组......
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后......
综合了ＧａＡｓ和ＩｎＰ基ＨＦＥＴ工艺中选择腐蚀技术的有关报道，重点介绍了应用ＩＣＰ设备和气体组合ＢＣＩ＋ＳＦ６进行异质结材料组合的干法腐蚀实验，腐蚀后在显微镜和扫描电......
研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨......
用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF－MBE）在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料，所外延的GaN......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性......
报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温性测试结果。同时，研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响......
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用......
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dB......
综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商......
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影......
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺......
研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET（HFET），该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上，在有源层的尾部引入i-INGaAs层。采用HEFT研......
报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN／GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能．器件栅采用场板结构，其中栅长为0．3pm，场板长为......
研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能．从沟道热电子隧穿过程出发，提出了新的......
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN／GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料,......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD......
研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件......
利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到......
功率器件在电源管理、电力传输、工业控制等方面影响着人们的生活。硅基功率器件经过半个多世纪发展,性能已经趋近于理论极限,而现......
对ＡｌＮ／ＧａｎＨＦＥＴ的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测，发现了由ＧａＮ沟道层中陷阱作用引起的分散特性，陷阱的激活能量大约为１ｅＶ。......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构.........
讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩......
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气（2DEG）和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力......
堆内破损探测系统是HFETR在线监测元件破损情况的重要系统,通过测量取样水的缓发中子与总γ为运行人员提供实时元件破损情况的判据......
采用再生长n＋GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率（f_T）的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）,器件尺寸得到有效缩小,......
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率（fT）的InAlN／GaN异质结场效应晶体管（HFETs）．基于MOCVD外延n＋-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺......
